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13001
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NPN Silicon, VCEO 400V, Ic 0.2A, PC 750mW, VCBO 600V, VEBOV 7, TJ 150°C, TSTG -55～+150°C, SOT-23. |
晶体管 > 双极（BJT） |
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1N4001W
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SMD rectifier, 50-1000V, 1.0A, SOD-123FL, glass passivated, low leakage, 250°C/10s, -55 to +150°C. |
二极管 > 整流器 |
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1N4007WS
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Fast switching, high conductance, SMD, 300mA, 400mA, 500mW, 150ć, -55 to 150ć, 100V, 4ns. |
二极管 > 整流器 |
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1N4148W
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Surface mount diode, fast switching, SOD-123, UL 94V-0, VRM 100V, IFM 300mA, IO 150mA, Pd 410mW, RθJA 315K/W, Tj/TSTG -65 to +150°C, VFM 1.0V, Cj 2.0pF, trr 4.0ns. |
二极管 > 整流器 |
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1N4148WS
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Fast Switching, VRM 100V, IO 150mA, IFM 300mA, PD 350mW, Tj -65 to +150°C, V(BR)R 75V, CT 2.0pF, trr 4.0ns. |
二极管 > 整流器 |
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1N4148WT
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- |
二极管 > 整流器 |
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1N4448W
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- |
二极管 > 整流器 |
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1SMA4728A
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Max. 1W, 3.3V to 330V, SMA, 0.055g, 1.2V at 200mA, -55 to +150°C. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA4734A
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Max. 1 W; 3.3V to 330V; SMA; 0.055g; silicon planar zener diode. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA4736A
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Max. 1 W, 3.3V to 330V, SMA, 0.055g, 1.2V at 200 mA, -55 to +150°C. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA4740A
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Max. 1 W, 3.3V to 330V, SMA case, 0.055g, 1.2V at 200 mA, -55 to +150°C. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA4744A
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Total power dissipation max 1 W, zener reverse voltage range 3.3V to 330V, SMA case, forward voltage 1.2V at 200 mA. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA4747A
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Max. 1W, 3.3V-330V, 1.2V at 200mA, -55 to +150°C, 0.055g. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA4749A
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Max. 1W, 3.3V-330V, SMA, 0.055g, 1.2V@200mA, -55 to +150°C. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA5925A
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- |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA5927A
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- |
二极管 > 齐纳 |
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1SMA5929A
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- |
二极管 > 齐纳 |
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1SMB5923B
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1.5W, SMB/DO-214AA, 3.0W power dissipation, -50～+150°C, 28°C/W thermal resistance, molded plastic case, UL94V-0 epoxy. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMB5924B
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Low impedance, high reliability, 250°C/10S soldering, molded plastic, UL94V-0 epoxy, 1.5W, SMB/DO-214AA. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMB5925B
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ZENER diode, 1.5W, Pt 3.0W, Rθ(ja) 28°C/W, TJ -50～+150°C, TSTG -50～+175°C, molded plastic case, UL94V-0 epoxy, SMB/DO-214AA package. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMB5927B
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1.5W, molded plastic case, UL94V-0 epoxy, -50～+150°C operating, -50～+175°C storage, 28°C/W thermal resistance, high reliability, low ZENER impedance, 250°C/10S soldering. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMB5929B
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Low impedance at low current, high reliability, 250°C/10S/9.5mm soldering, molded plastic, UL94V-0, 1.5W SMD, -50～+150°C operating, -50～+175°C storage, 28°C/W thermal resistance. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMB5934B
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Small impedance at low current, 3.0W power, -50～+150°C operating, -50～+175°C storage, 28°C/W thermal, molded plastic, UL94V-0 epoxy, surface mount. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMB5935B
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Zener diode, 1.5W, SMB/DO-214AA, Iz MAX: see table, Pt: 3.0W, Rθ(ja): 28°C/W, TJ: -50～+150°C, TSTG: -50～+175°C, molded plastic, UL94V-0 epoxy. |
二极管 > 齐纳 |
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1SMB5937B
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1.5W, SMB/DO-214AA, Pt=3.0W, Rθ(ja)=28°C/W, TJ=-50～+150°C, TSTG=-50～+175°C, UL94V-0, low ZENER impedance, high reliability, 250°C/10S soldering. |
二极管 > 齐纳 |
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1SS181
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Low forward voltage: 0.92V, fast reverse recovery time: 1.6ns, VRM 85V, VR 80V, IFM 300mA, IO 100mA, PD 150mW, TJ 125°C, TSTG -55-125°C. |
二极管 > 整流器 |
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1SS184
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- |
二极管 > 整流器 |
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1SS226
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- |
二极管 > 整流器 |
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1SS355
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Small Surface Mounting Type: SOD-323, High Speed: t=1.2ns, VRM 90V, VR 80V, IO 100mA, Isurge 500mA, PD 200mW, Tj 125°C, TSTG -55 to +125°C. |
二极管 > 整流器 |
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1SS400
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Pb-free, high speed, high reliability. VRM 90 V, VR 80 V, Io 100 mA, Isurge 0.5 A, Ptot 150 mW, Tj 125 °C, Tstg -55 to +125 °C. VF 1.2 V, IR 0.1 μA, Cd 0.7-3.0 pF, trr 4 ns. |
二极管 > 整流器 |
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2N3904
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TO-92 Plastic Package, NPN transistor, Low current, Low voltage, General purpose amplifier, HFE 100~300. |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2N3906
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- |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2N5401
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- |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2N5551
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- |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2N7002
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N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs, VDS=60V, ID=0.115A, RDS(ON)<7.5Ω@VGS=5V, SOT-23 package, lead-free, surface mount. |
晶体管 > FET，MOSFET |
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2N7002E
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N-Channel Power MOSFET, VDS=60V, ID=300mA, RDS(ON)<3Ω@VGS=10V, RDS(ON)<3.5Ω@VGS=5V, Surface mount package. |
晶体管 > FET，MOSFET |
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2N7002K
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60V, 0.3A, VGS ±20V, TJ 150°C, TSTG -50 to 155°C, RθJA 357°C/W, 3.5Ω@10V, 4.5Ω@4.5V, Trench Power MV. |
晶体管 > FET，MOSFET |
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2N7002KDW
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UL 94 V-0, low RDS(ON), ESD Protected. VDS 60V, VGS ±20V, ID 340mA, Pd 150mW, TJ 150°C, RθJA 820°C/W. |
晶体管 > FET，MOSFET |
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2N7002KT
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- |
晶体管 > FET，MOSFET |
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2N7002KW
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N-Channel MOSFET, 60V, 340mA, SOT-323, Low RDS(on), ESD protected, Load Switch, DC/DC Converter. |
晶体管 > FET，MOSFET |
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2N7002T
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- |
晶体管 > FET，MOSFET |
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2SC1623
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NPN transistor, hFE=200, VCEO=50V, IC=100mA, PC=200mW, fT=150MHz, SOT-23 package. |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2SC1815
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- |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2SC2078
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Silicon NPN power transistor, 12.5V, 27MHz, PO=4W PEP, ft=200MHz, VCEO=35V, IC=5A, PDISS=12W, hFE=25-200. |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2SC2712-Y
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High voltage and high current: VCEO= 50 V, IC= 150 mA; hFE= 70-700; NF = 1dB, 10dB; VCE(sat)= 0.25 V; VBE(sat)= 1.2 V; fT= 80 MHz. |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2SC3356 R25
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- |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2SC3357 RE
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- |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2SC3357 RF
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超高频低噪声功率晶体管，SOT-89封装，高增益10dB@1GHz，低噪声1.7dB@1GHz，增益带宽6.5GHz，VCEO 12V，IC 100mA，PC 1200mW。 |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2SC3585 R45
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超高频低噪声晶体管，NPN硅外延双极型工艺，高功率增益，低噪声系数，大动态范围，SOT-23-3L封装，应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。 |
晶体管 > 双极（BJT） |
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2SC4226 R24
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NPN, silicon epitaxial planar, low noise, high gain, 150mW, VCBO 20V, VCEO 12V, VEBO 3V, IC 100mA, Tj -65 to +150°C, SOT-323. |
晶体管 > 双极（BJT） |
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芯耀 芯耀计划，照亮全球芯通路
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